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IGBT的工作原理及检测方法

www.jg79.ooo 2019/6/21 17:51:55 来源:互联网 电力电子论坛

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备?#23376;?#39537;动、峰值电流容?#30475;蟆?#33258;关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。

  1. IGBT的工作原理

  IGBT由栅极(G)、发射极(E)和集电极(C)三个极控制。如图1,IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。由图2可知,若在IGBT的栅极和发射极之间?#30001;?#39537;动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而?#27807;?#26230;体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,?#27807;?#26230;体管截止。

  

 

  图1 IGBT 结构图

  

 

  图2 IGBT电气符号(左)与等效的电路图(右)

  如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低则IGBT不能稳定的工作,如果过高甚至超过栅极—发射极之间的耐压,则IGBT可能会永久损坏。同样,如果IGBT集电极与发射极之间的电压超过?#24066;?#20540;,则流过IGBT的电流会超限,导致IGBT的结温超过?#24066;?#20540;,此时IGBT也有可能会永久损坏。

  2. IGBT极性判断

  对IGBT进行检测时,应选用指针式万用表。首先将万用表拨到R×1KΩ档,用万用表测量各极之间的阻值,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则此极为栅极(G)。再用万用表测量其余两极之间的阻值,若测得阻值为无穷大,调换表笔后阻值较小,当测量阻值较小时,红表?#24335;?#35302;的为集电极(C),黑表?#24335;?#35302;的为发射极(E)。

  3 IGBT实物图

  

 

  3. IGBT好坏的判断

  判断IGBT好坏时必须选用指针式万用表(电子式万用表内部电池电压太低),也可以使用9V电池代替。首先将万用表拨到R×10KΩ档(R×1KΩ档时,内部电压过低,不足以使IGBT导通),用黑表?#24335;覫GBT的集电极(C),红表?#24335;覫GBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT被触发导通,万用表的指针明?#22253;?#21160;并指向阻值较小的方向并能维持在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。在检测中以上现象均符合,可以判定IGBT是好的,否则该IGBT存在问题。

 

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