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耐威科技子公司成功研制“8英寸硅基氮化镓外延晶圆”

www.jg79.ooo 2018/12/20 14:42:48 来源:互联网 电力电子论坛|免费发布产品

  耐威科技发布公告称,近日,公司控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称“聚能晶源”)成功研制“8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”,具体如下:

  公告显示,硅基氮化镓(GaN-on-Si)与第二代半导体硅(Si)、砷化镓(GaAs)等材料相比,第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有更大的禁带宽度(> 3 eV),一般也被称为宽禁带半导体材料。得益于禁带宽度的优势,GaN 材料在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于 Si、GaAs 等传统半导体材料。此外,GaN 材料在载流子迁移率、饱和载流子浓度等方面也较 Si 更为优异,因此特别适用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率与微波电子器件,在 5G 通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域具有广泛的应用前景。

  与此同时,将 GaN 外延生长在硅衬底之上,可以有效地结合 GaN 材料的高性能以及成熟 Si 晶圆的大尺寸、低成本优势。基于先进的 GaN-on-Si 技术,可以在实现高性能 GaN 器件?#32784;?#26102;将器件制造成本控制在与传统 Si 基器件相当的程度。因此,GaN-on-Si 技术也被业界认为是新型功率与微波电子器件的主流技术。

  2018 年,耐威科技先后投资设立?#21496;?#33021;晶源、青岛聚能创芯微电子有限公司,依托专业团队优势,联合产业资源,积极布局并把握下一代功率与微波电子领域的市场机遇。自成立以来,聚能晶源积极投入研发,充分发挥核?#32784;?#38431;的技术优势,先后攻克了 GaN 与 Si 材料之间晶格失配、大尺寸外延应力控制、高耐压 GaN外延生长等技术?#21387;兀?#25104;功研制了达到全球业界领先水平的 8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆。该型外延晶圆在实现了 650V/700V 高耐压能力?#32784;?#26102;,保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性,可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。聚能晶源 8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延生长腔体及外延晶圆实物图如下:

 

  耐威科技表示,本次“8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”的研制成功,使得聚能晶源成为截至目前公司已知全球范围内领先的?#21830;?#20379;具备长时可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圆的生产企业,?#20197;?#37319;用国际业界严苛?#33455;?#26631;准的情况下,聚能晶源研制?#32784;?#24310;晶圆在材料、机械、电学、耐压、耐高温、寿命等方面具有性能优势,能够保障相关材料与技术在 5G 通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域得到安全可靠的应用。

  耐威科技指出,“8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”在国际上仍属于从研发到商业规模应用的关键阶段,耐威科技当期尚未实现量产,形成量产能力的具体时间及成效存在不?#33539;?#24615;。短期内不会对公司的生产经营产生重大影响,但有利于公司加快在第三代半导体材料与器件领域的技术储备,有利于增强公司核心竞争力并把握市场机遇。

  值得注意的是,鉴于目前业内尚未形成通用标准且没有专门从事测试的第三方机构,本次“8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”的性能测试在耐威科技内部进行,属于企业自主测试结果,耐威科技未聘请第三方鉴定机构对结果进行鉴定或公证。

 

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