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ST和Leti合作开发硅基氮化镓功率转换技术

www.jg79.ooo 2018/9/27 11:05:22 来源:互联网 电力电子论坛|免费发布产品

  横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)和CEA Tech?#29575;?#30340;研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化镓(GaN)功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能够满足高能效、高功率的应用需求,包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和服务器。

  本合作项目的重点是开发和检测在200mm晶片上制造的先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构。研究公司IHS认为,该市场将在2019年至2024年有超过20%的复合年增长率。意法半导体和Leti利用IRT纳电子研究所的框架计划,在Leti的200mm研发线上开发工艺技术,预计在2019年完成工程样品的验证。同时,意法半导体还将建立一条高品质生产线,包括GaN / 硅异质外延工序,计划2020年前在法国图尔前工序晶圆厂进行首次生产。

  此外,鉴于硅基氮化镓技术对功率产品的吸引力,Leti和意法半导体正在评测高密度电源模块所需的先进封装技术。

  意法半导体汽车与?#33267;?#22120;件产品部总裁Marco Monti表示:“在认识到宽带隙半导体令人难以置信的价值后,意法半导体与CEA-Leti开始合作研发硅基氮化镓功率器件制造和封装技术。ST拥有经过市场检验的生产可靠的高质量产品的制造能力,此次合作之后,我们将进一步拥有业界最完整的GaN和SiC产品和功能组合。”

  Leti首席执行官Emmanuel Sabonnadiere表示:“Leti的团?#27704;?#29992;Leti的200mm通用平台全力支持意法半导体的硅基氮化镓功率产品的战略规划,并准备将该技术迁移到意法半导体图尔工厂硅基氮化镓专用生产线。这个合作开发项目需要双方团队的共同努力,利用IRT纳电子研究所的框架计划来扩大所需的专业知识,在设备和系统层面从头开始创新。”

  相较于采用硅等传统半导体材料的器件,更高的工作电压、频率和温度是宽带隙半导体材料GaN制成的器件的固有优势。除功率氮化镓技术外,意法半导体还在开发另外两种宽带隙技术:碳化硅(SiC)和射频氮化镓(GaN)。

  在GaN领域除了与CEA-Leti合作外,意法半导体不久前还宣布了与MACOM合作开发射频硅基氮化镓技术,用于MACOM的各种射频产品和和意法半导体为非电信市场研制的产品。两个研发项目都使用GaN,很容易引起混淆,但是,这两种研发项目使用结构不同的方法,应用优势也不同。例如,功率硅基氮化镓技术适合在200mm晶片上制造,而射频硅基氮化镓目前至少更适合在150mm晶片上制造。无论哪种方式,因为开关损耗低,GaN技术都适用于制造更高频率的产品。

  另一方面,碳化硅器件的工作电压更高,阻断电压超过1700V,雪崩电压额定值超过1800V,通态电阻低,使其非常适用于能效和热性能出色的产品。凭借这些特性,SiC非常适合电动汽车、太阳能逆变器和焊接设备等应用。

 

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